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卷绕式镀膜设备 - ITO膜卷绕式真空磁控镀膜机

设备特点：

ito薄膜是什么 :ITO薄膜的特性及用途

ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。接下来，详细为你说下ito薄膜是什么，纳米喷镀技术，ITO薄膜的特性及用途。

一、ito薄膜是什么

ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、电致发光显示器（EL/OLED）、触摸屏（TouchPanel）、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极常用的薄膜材料。

   蒸镀必须在一定的真空条件下进行，这是因为：

       1、

       较高的真空度可以保证汽化分子的平均自由程大于蒸发源到基底的距离。由于气体分子的热运动，分子之间的碰撞也是极其频繁的，所以尽管气体分子运动的速度相当的高 ( 可达每秒几百米 ) ，但是由于它在前进的过程中要与其它分子多次碰撞， 一个分子在两次连续碰撞之间所走的距离被称为它的自由程， 而大量分子自由程的统计平均值就被称为分子的平均自由程。

      由于气体压强与单位体积的分子数成正比， 因此平均自由程与气体的压强亦成正比。在真空淀积薄膜过程中，环保纳米喷镀，当淀积距离大于分子的平均自由程时被称为低真空淀积， 而当淀积距离小于分子的平均自由程时被称为高真空淀积。在高真空淀积时，蒸发原子 ( 或分子 ) 与残余气体分子间的碰撞可以忽略不计，因此汽化原子是沿直线飞向基片的，这样保持较大动能到达基片的汽化原子即可以在基片上凝结成较牢固的膜层。在低真空淀积时，由于碰撞的结果会使汽化原子的速度和方向都发生变化，甚至可能在空间生成蒸汽原子集合体—其道理与水蒸汽在大气中生成雾相似。

       2、

       在较高的真空度下可以减少残余气体的污染在真空度不太高的情况下， 真空室内含有众多的残余气体分子( 氧、氮、水及碳氢化合物等 ) ，它们能给薄膜的镀制带来极大的危害。它们与汽化的膜料分子碰撞使平均自由程变短；它们与正在成膜的表面碰撞并与之反应； 它们隐藏在已形成的薄膜中

     薄膜沉积技术是半导体、光伏等行业发展的关键工艺。薄膜沉积技术是指将在真空下用各种方法获得的气相原子或分子在基体材料表面沉积以获得离层被膜的技术。它既适合于制备超硬、耐蚀、耐热、化的机械薄膜，又适合于制备磁记录，信息存储、光敏、热敏、超导、光电转换等功能薄膜；此外，还可用于制备装饰性镀膜。近20年来，纳米喷镀厂家，薄膜沉积技术得到了飞速发展，现已被广泛应用于机械、电子、装饰等领域。

     PVD真空镀膜机沉积速度快、沉积温度低、物理手段对环境友好、更适应硬质合金精密复杂刀具的涂层。PVD是指在真空条件下利用高温蒸发或高能粒子等物理方法轰击靶材，使靶材表面原子“蒸发”并沉积在衬底表面，沉积速率高，一般适用于各类金属、非金属、化合物膜层的平面沉积。按照沉积时物理机制的差别，物理气相沉积一般分为真空蒸发镀膜技术、真空溅射镀膜、离子镀膜和分子束外延等。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进、成果显著，纳米喷镀，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。

     CVD镀膜设备种类繁多，当前PECVD为主流技术，未来市占率有望进一步提升。CVD是指利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程，是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。