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ITO薄膜的特性及用途

ITO薄膜具有复杂的立方铁锰矿结构，其特性主要有：

1）导电性能好（电阻率可低达10-4Ω·cm），电镀设备，带隙宽3.5~4.3eV，载流子浓度（1021cm-3）和电子迁移率（15~45cm2V-1s-1）较高；

2）在可见光波段透过率，可达85%以上；

3）对紫外线的吸收率较高，可达85%以上；

4）对红外线具有反射性，反射率高于80%；

5）对微波具有衰减性，衰减率可达85%以上；

6）膜层硬度高，耐磨，耐化学腐蚀（等除外）；

7）膜层具有很好的酸刻、光刻性能，便于细微加工，可以被刻蚀成不同的电图案。

随着显示器件行业的飞速发展，对ITO薄膜的产品性能特性提出了新的要求。同时ITO薄膜制备技术的深入发展，使显示器件的需要变成可能。不同性能的ITO薄膜可以在不同显示器件中的应用。

真空电镀蒸发是气体利用的什麽原理?

在高真空度的条件下，高纯度的镀层金属（如铝）在高温下蒸发后会自由地飞散开并沉降在工件表面，环保电镀设备，形成镀层。气为保护性气体，防止氧化反应影响镀层质量。

气在电镀过程中有何用?

气不参与反应，只是增加气压，改善镀膜时靶的放电条件，气不是用于镀膜，主要用于创造镀膜的环境。氮气和气都是惰性气体，冲进去以后，一 可以排除氧气，防止氧化，二更具氮气和气在扩散泵内的含量比例不同，可以镀膜出不同的颜色.主要是为了改变镀膜出来产品的色彩.

真空镀膜行业中，气的流量大小具体如何控制?

如果是说镀膜时为了调节压力使用的气体 个人认为如下：气如果只是调节压力，一次压可以不计，但是二次压要小于0.5个大气压。氮气也是，主要是因为如果大了，会导致真空仓内的压力变化太剧烈，导致误差。如果是使用离子源，那么气入气量不宜过大，大了导致离子量过大，二手真空电镀设备，烧坏部件。压力和上边没什么差别。

真空蒸发镀膜机设备运行过程中，从膜材表面蒸发的粒子以一定的速度在空间沿直线运动，直到与其他粒子碰撞为止。在真空室内，当气相中的粒子浓度和残余气体的压力足够低时，这些粒子从蒸发源到基片之间可以保持直线飞行，电镀设备厂家，否则，就会产生碰撞而改变运动方向。为此，增加残余气体的平均自由程，以减少其与蒸发粒子的碰撞几率，把真空室内抽成高真空是必要的。

当真空容器内蒸发粒子的平均自由程大于蒸发源与基片的距离(以下称蒸距)时，就会获得充分的真空条件。设蒸距(蒸发源与基片的距离)为L，并把L看成是蒸发粒子已知的实际行程，λ 为气体分子的平均自由程，设从蒸发源蒸发出来的蒸汽分子数为N0，在相距为L 的蒸发源与基片之间发生碰撞而散射的蒸汽分子数为N1，而且假设蒸发粒子主要与残余气体的原子或分子碰撞而散射，则有

N1/N0= 1- exp(L/λ) (1)

在室温(25℃)和气体压力为p(Pa)的条件下，残余气体分子的平均自由程为

λ = 6.65×10-1/pcm (2)

由上式计算可知，在室温下，p=10-2 Pa 时，λ=66.5 cm，即一个分子在与其它分子发生两次碰撞之间约飞行66.5 cm。